张进成教授团队研究成果

张进成教授团队在宽禁带半导体技术领域取得了显著的成就。他们的研究方向包括宽禁带半导体电子学（氮化镓等）、超宽禁带半导体电子学（氧化镓、金刚石、氮化铝等）以及大功率射频芯片与电力电子芯片。以下是张进成教授团队的部分研究成果：

1. 宽禁带半导体技术

张进成教授团队在氮化镓半导体材料与器件研究方面取得了重要进展。他们研制出了表面反应增强型MOCVD系统、高性能GaN异质结构外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN蓝光LED以及InGaN基化合物半导体太阳电池等大量研究成果，填补了多项国内空白，打破了发达国家的技术垄断。特别是高性能GaN异质结构外延材料，在国内单位以及日本、新加坡等国的研究机构中获得大量应用，被评价为材料性能达到国际先进水平。

2. 超宽禁带半导体电子学

张进成教授团队在超宽禁带半导体电子学领域也取得了突破性进展。他们相继开发了专用MOCVD设备、低缺陷生长方法、新型异质结构以及新型器件结构等，实现了国际领先水平的氮化镓微波功率器件，并在国家重大工程中成功应用。此外，近年来又针对超宽禁带半导体研究取得了一系列突破性进展，包括氧化镓肖特基二极管国际最高击穿电压3kV与功率指数0.5GW/cm2、铝镓氮栅注入晶体管5V的阈值电压并同时获得200mA/mm的输出电流密度以及2kV的击穿电压、金刚石场效应晶体管在栅长为2μm时仍然具有400mA/mm高电流密度并能稳定工作在200°C。

3. 大功率射频芯片与电力电子芯片

除了宽禁带和超宽禁带半导体技术，张进成教授团队还专注于大功率射频芯片与电力电子芯片的研发。他们在这一领域的研究成果同样获得了广泛的认可和应用，特别是在北斗导航卫星、5G通信基站等领域获得了广泛应用，并为我国4G/5G通信器件提供核心技术支撑。

4. 国家科技重大专项项目

张进成教授团队主持完成了国家科技重大专项、国家973计划、863计划、国家重点研发计划、国家自然基金重大项目、重点项目等50余项国家级重大重点项目，验收结果均为优秀或良好。目前在研主持国家科技重大专项“大功率高速整流器件”（国拨经费9994.78万元,西电历史上最高）、国家科技重大专项“毫米波放大器芯片”（国拨经费2500万元）、国家重点研发计划“基于极化诱导能带工程的GaN基电子器件新结构、新工艺和可靠性研究”（国拨经费950万元）、国家创新特区项目“FinFET集成电路辐射机理及加固技术基础研究”（国拨经费480万元）、国家自然基金委员会杰出青年基金项目“宽禁带半导体电子器件”（国拨经费400万元）等10余项课题。

5. 论文专著和发明专利

张进成教授团队发表了SCI论文300余篇，第一/通信作者100余篇，包括IEEE期刊论文64篇，Applied Physics Letters论文23篇，SCI他引3000余次，出版专著3部，教材1部。授权发明专利80余项，实现专利转化和作价入股60余项，累计金额5000余万元。

以上就是张进成教授团队的主要研究成果概述。